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1 Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit
microel. HEMTУниверсальный русско-немецкий словарь > Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit
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2 ВПЭ-транзистор
abbrmicroel. HEMT, High Electron Mobility Transistor, (гетероструктурный металл-полупроводниковый) SDHT, (гетероструктурный металл-полупроводниковый) Selektiv Dotierter Heterojunction-Transistor, TEGFET, Transistor mit hoher Elektronenbe weglichkeit, Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit -
3 транзистор с высокой подвижностью электронов
nУниверсальный русско-немецкий словарь > транзистор с высокой подвижностью электронов
См. также в других словарях:
Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à haute mobilité d'électrons — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
High-electron-mobility transistor — Querschnitt eines InGaAs pseudomorphen HEMT Der high electron mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der… … Deutsch Wikipedia
High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
high-electron mobility transistor — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
HEMT — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
HEMT — [eɪtʃiːem tiː; Abkürzung für englisch high electron mobility transistor, »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«], ein Feldeffekttransistor mit künstlicher Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz Halbleiterbauelemente.… … Universal-Lexikon
didelio elektronų judrio tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc. transistor à haute mobilité d électrons, m … Radioelektronikos terminų žodynas
транзистор с высокой подвижностью электронов — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
